Wstęp

1.

Technologia wytwarzania układów LSI

logo Ed

stronica 9

stronica 13

1.1. Charakterystyka ogólna / 13

225

sword-of

1.2.

1.3.

Charakterystyka bazowych technologii MOS 15 Nowe technologie MOS 16120011

1.4.

Wytwarzanie i kontrola układów MOS-LSI 17

Wykaz literatury / 20

Sojong ob nins

2.

Pamięci

12.1-201

stronica

21

2.1.

2.1.2.

2.2.

Rejestry przesuwające / 27

Ogólna charakterystyka pamięci / 21.

2.1.1. Rodzaje pamięci. Podstawowe parametry / 21

Stan techniki i perspektywy rozwojowe / 24

2.2.1. Wprowadzenie / 27

2.2.2. Układy współczynnikowe i bezwspółczynnikowe rejestrów przesuwających

2.2.3. Statyczne rejestry przesuwające / 30

30 silens

2.2.4. Dynamiczne rejestry przesuwające / 32 2.2.5. Multipleksowa organizacja rejestru 2.2.6. Porównanie własności rejestrów MOS-LSI / 39 2.2.7.

29

swobuce

sib ybor:M

wwwmoldora

ngolim

dovnsoig

sinsvanssi 162

Charakterystyki krajowych rejestrów MOS-LSI / 40

2.2.8. Zastosowania rejestrów przesuwających / 47 2.3. Pamięci RAM / 56

ser

swobel is £2

2.3.1. Ogólna charakterystyka pamięci RAM / 56

2.3.2. Charakterystyki wybranych typów pamięci / 58

2.4.

Pamięci stale/ 67

2.4.1. Klasyfikacja pamięci stałych. Podstawowe parametry / 67

Karton 186