Prywatne
Rok wydania: 1989
Stan: Używane
Opis
Wydawnictwo: W.K.Ł.
Autor: WILAMOWSKI Bogdan Maciej
ISBN: 83-206-0792-2
Liczba stron: 334
Oprawa: twarda z obwolutą
Format: 17,5 x 24,5cm waga: 0,7kg B
Rok wydania: 1989
Stan: UŻYWANY: 8,5/10
Okładka i środek czysty, normalne ślady używania.
Opis:
Książka stanowi monografię przedstawiającą całościowo problematykę projektowania i wytwarzania układów scalonych. Składa się z czterech części, omawiających szczegółowo zagadnienia dotyczące przyrządów półprzewodnikowych, scalonych układów analogowych i cyfrowych oraz technologii ich wytwarzania.
SPIS TREŚCI:
1. WSTĘP
2. PODSTAWY FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW
2.1.Struktura kryształu/20
2.2.Pasma energetyczne w półprzewodnikach/22
2.3. Energia elektronów i gęstości stanów/24
2.4. Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku samoistnym/25
2.5. Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku domieszkowanym/27
2.6. Dryft nośników w polu elektrycznym/30
2.7. Prądy dryftu i dyfuzji w półprzewodnikach/34
2.8. Generacja i rekombinacja nośników/36
2.9. Niejednorodnie domieszkowany półprzewodnik i pole wbudowane/39
2.10. Podstawowe równania w półprzewodnikach/39
3. PASYWNE ELEMENTY UKŁADÓW SCALONYCH
3.1. Kondensatory/42
3.1.1. Kondensatory MOS/43
3.1.2. Kondensatory złączowe/45
3.2. Rezystory dyfuzyjne/47
3.2.1. Rezystory bazowe/49
3.2.2 Rezystory emiterowe/50
3.2.3. Rezystory ściśnięte/51
3.2.4. Porównanie parametrów rezystorów dyfuzyjnych/52
3.2.5. Inne rodzaje elementów spełniających funkcje rezystorów/53
4. ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
4.1. Teoria przyrządu JFET/57
4.2. Tranzystory polowe z krótkim kanałem SIT/59
4.2.1. Wstrzykiwanie nośników poprzez barierę potencjału/61
4.2.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora SIT/61
4.3. Tranzystory z transportem balistycznym/64
5. TRANZYSTORY MOS
5.1. Struktura MOS/67
5.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe/71
5.3. Parametry małosygnałowe/74
5.4. Efekty drugorzędne/75
5.4.1. Efekt modulacji długości kanału/75
5.4.2. Wpływ polaryzacji podłoża na wartość napięcia progowego/75
5.4.3. Wpływ polaryzacji kanał-podłoże na charakterystyki statyczne/76
5.4.4. Efekt zmian ruchliwości powierzchniowej/76
5.4.5. Podprogowy przepływ prądu/77
5.4.6. Efekt krótkiego kanału/79
5.4.7. Efekt wąskiego kanału/80
5.4.8. Metody skalowania tranzystorów MOS/80
5.4.9. Metody określenia napięcia progowego/81
6. ZŁĄCZA p-n I TRANZYSTORY BIPOLARNE
6.1. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym/85
6.2. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia/89
6.3. Podstawowe zależności w tranzystorze bipolarnym/94
6.3.1. Prądy w złączu emiter-baza/95
6.3.2. Sprawność wstrzykiwania emitera/95
6.3.3. Sprawność transportu nośników przez bazę/96
6.3.4. Efekt modulacji konduktywności bazy/98
6.3.5. Efekt Kirka/98
6.3.6. Efekt Early'ego/98
6.4. Tranzystory z niejednorodną bazą/100
7. MODELE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
7.1. Specyfika komputerowych metod projektowania/102
7.2. Modele tranzystora bipolarnego/l 02
7.3. Modele tranzystora MOS/108
Literatura /111
8. EFEKTY PASOŻYTNICZE W UKŁADACH SCALONYCH
8.1. Pasywne elementy pasożytnicze/H 2
8.1.1. Pojemności złączy/112
8.1.2. Pojemności dyfuzyjne/113
8.1.3. Rezystancje rozproszone/113
8.2. Aktywne elementy pasożytnicze — tranzystory/114
8.2.1. Pasożytnicze tranzystory MOS/114
8.2.2. Pasożytnicze tranzystory JFET/115
8.2.3. Pasożytnicze tranzystory bipolarne/115
8.3. Efekty termiczne i sprzężenia cieplne/117
9. PODUKŁADY BIPOLARNE ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH
9.1. Źródła prądowe/121
9.1.1. Źródła prądowe o stałej wydajności/l 22
9.1.2. Źródła prądowe sterowane/123
9.2. Wzmacniacze różnicowe/128
9.3. Układy przejścia ze stopnia symetrycznego na asymetryczny/131
9.4.Asymetryczne stopnie wzmacniające/132
9.5.Obciążenia aktywne/13
9.6.Układy przesuwania poziomów napięć/134
9.6.1.Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na rezystorze/134
9.6.2.Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na diodach/136
9.6.3.Tranzystorowe układy przesuwania poziomów napięć/137
9.7.Stopnie wyjściowe/138
9.7.1.Układ z diodą kluczującą/139
9.7.2.Układ z przełącznikiem tranzystorowym/139
9.7.3.Układ z przełączaniem na diodach/140
9.7.4.Układ stopnia wyjściowego z diodami kompensacyjnymi/l 40
9.8.Układy zabezpieczające/142
10. WZMACNIACZE OPERACYJNE
10.1. Konstrukcja wzmacniacza operacyjnego/144
10.2. Parametry wzmacniacza operacyjnego/146
10.2.1. Wejściowy prąd polaryzacji/147
10.2.2. Wejściowe napięcie niezrównoważenia/147
10.2.3. Dryft cieplny napięcia niezrównoważenia/148
10.2.4. Rezystancja wejściowa/148
10.2.5. Rezystancja wyjściowa/148
10.2.6. Zakres zmian napięcia wejściowego/148
10.2.7. Wzmocnienie/149
10.2.8. Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego/149
10.2.9. Współczynnik tłumienia wpływu napięcia zasilania/149
10.2.10. Jednostkowa częstotliwość graniczna/149
10.2.11. Szybkość narastania napięcia wyjściowego/149
10.2.12. Czas ustalenia wartości napięcia wyjściowego/150
10.3. Podstawowe konfiguracje układowe wzmacniaczy operacyjnych/150
10.4. Stabilność i kompensacja częstotliwościowa/152
10.4.1. Stabilność wmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym/153
10.4.2. Metody korekcji stabilności wzmacniaczy/l 55
10.5. Wzmacniacze instrumentalne/158
Literatura/159
11. UKŁADY ANALOGOWE SPECJALNEGO PRZEZNACZENIA
11.1. Źródła napięcia referencyjnego/160
11.1.1. Diody referencyjne/160
11.1.2. Układy referencyjne z przerwą energetyczną/162
11.2. Regulatory napięć/164 profi-libris
11.2.1. Regulatory szeregowe/164
11.2.2. Regulatory impulsowe/166
11.3. Precyzyjne prostowniki/169
11.4. Układy mnożące/170
11.4.1. Układ wzmacniacza różnicowego z ogranicznikiem/170
11.4.2. Podwójnie zrównoważony układ mnożący/171
11.4.3. Układ regulacji wzmocnienia/173
11.4.4. Krzyżowy przełącznik torów/174
11.4.5. Multiplekser analogowy/174
11 5 Układy przetworników napięcie — częstotliwość/175
11.6. Układy z pętlą fazową PLL/177
11.7. Układy toru „sample and hold” /178
11.8. Układy wzmacniaczy wielkich częstothwosci/isu
11.9. Komparatory napięć/181
12. ANALOGOWE UKŁADY MOS
12.1. Właściwości tranzystora MOS/l 84
12.1.1. Transkdnduktancja/184
12.1.2. Wzmocnienie/185
12 l 3 Pojemności tranzystora MOS/186
12.1.4. Szumy/187
12.2. Podukłady analogowych układów MOS
12.2.1. Stopnie wzmacniające/187
12.2.2. Źródła prądowe/189
12.2.3. Układy polaryzacji/190
12.2.4. Jkiady napięcia referencyjnego /191
12.2.5. Stopnie wyjściowe/193
12.3. Niektóre rozwiązania analogowych układów MOS/194
12.3.1. Wzmacniacze operacyjne/195
12.3.2. Układy C-przełączane/197
13. PRZETWORNIKI CYFROWO-ANALOGOWE I ANALOGOWO-CYFROWE
13.1. Właściwości informacji cyfrowej /200
13.2. Przetworniki cyfrowo-analogowe/201
13.3. Przetworniki analogowo-cyfrowe/206
13.3.1. Metody czasowe/207
13.3.2. Przetworniki kompensacyjne — szeregowe/208
13.3.3. Przetworniki równoległe — „flash"/210
13.3.4. Przetworniki równoległo-szeregowe/211
13.3.5. Przetworniki propagacyjne/212
14. CYFROWE UKŁADY LOGICZNE
14.1. Rodziny bipolarnych układów logicznych/214
14.1.1. Układy TTL/214'
14.1.2. Układy ECL/218
14.1.3. Układy EFL/219
14.1.4. Układy PL/220
14.1.5. Układy zintegrowane z diodami Schottky'ego/222
14.1.6. Układy 3-d//223
14.2. Układy cyfrowe MOS/226
14.2.1. Tranzystor MOS jako przyrząd obciążający/226
14.2.2. Układy p-MOS/228
14.2.3. Układy n-MOS/228
14.2.4. Układy CMOS/228
14.2.5. Dynamiczne układy logiczne/229
14.3. Porównanie ograniczeń układów MOS i bipolarnych/230
14.3.1. Ograniczenia tranzystorów MOS/230
14.3.2. Ograniczenia tranzystorów bipolarnych/231
15. CYFROWE BLOKI FUNKCJONALNE
15.1. Przerzutniki bistabiIne/235
15.1.1. Przerzutniki typu RS/235
15.1.2. Przerzutniki JK/236
15.1.3. Przerzutniki typu D/239
15.2. Przerzutniki generacyjne/239
15.2.1. Przerzutniki monostabtlne/239
15.2.2. Przerzutniki astabilne - wolnobiegnące/240
15.2.3. Przerzutniki Schmitta/240
15.3. Generatory/240
15.3.1. Generatory pierścieniowe/241
15.3.2. Generator z przerzutnikiem Schmitta/242
15.3.3. Generatory kwarcowe/242
15.4. Multipleksery i demultipleksery/244
15.5. Komparatory cyfrowe/244
15.6. Rejestry/244
15.7. Liczniki/245
15.8. Układy arytmetryczne/245
15.8.1. Sumatory/246
15.8.2. Multiplikatory/246
15.9. Inne rozwiązania układowe/247
15.9.1. Wzmacniacze sygnałów cyfrowych — wzmacniacze odczytu/247
15.9.2. Bramki transmisyjne/249
15.9.3. Układy zabezpieczeń/250
15.9.4. Układy autopoIaryzacji/252
15.9.5. Układy zabezpieczeń w technologii CMOS/253
15.10. Specjalizowane układy cyfrowe/254
15.10.1. Układy „gate array"/254
15.10.2. Układy „standard cells"/255
16. MIKROPROCESORY
16.1. Struktura mikroprocesora/257
16.2. Instrukcje mikroprocesora/260
16.2.1. Instrukcje przesłań/261
16.2.2. Instrukcje arytmetyczne/261
16.2.3. Instrukcje logiczne/262
16.2.4. Instrukcje skoku/262
16.2.5. Instrukcje wejścia i wyjścia/263
16.2.6. Przerwania/263
16.3. Przegląd mikroprocesorów/263
17. PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE
17.1. Pamięci typu RAM/267
17.1.1. Pamięci dynamiczne RAM/268
17.1.2. Statyczne pamięci RAM/269
17.2. Pamięci stałe/271
17.2.1. Pamięci ROM/271
17.2.2. Układy PLA/273
17.2.3. Układy PROM i FPLA/273
17.2.4. Reprogramowalne pamięc
Autor: WILAMOWSKI Bogdan Maciej
ISBN: 83-206-0792-2
Liczba stron: 334
Oprawa: twarda z obwolutą
Format: 17,5 x 24,5cm waga: 0,7kg B
Rok wydania: 1989
Stan: UŻYWANY: 8,5/10
Okładka i środek czysty, normalne ślady używania.
Opis:
Książka stanowi monografię przedstawiającą całościowo problematykę projektowania i wytwarzania układów scalonych. Składa się z czterech części, omawiających szczegółowo zagadnienia dotyczące przyrządów półprzewodnikowych, scalonych układów analogowych i cyfrowych oraz technologii ich wytwarzania.
SPIS TREŚCI:
1. WSTĘP
2. PODSTAWY FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW
2.1.Struktura kryształu/20
2.2.Pasma energetyczne w półprzewodnikach/22
2.3. Energia elektronów i gęstości stanów/24
2.4. Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku samoistnym/25
2.5. Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku domieszkowanym/27
2.6. Dryft nośników w polu elektrycznym/30
2.7. Prądy dryftu i dyfuzji w półprzewodnikach/34
2.8. Generacja i rekombinacja nośników/36
2.9. Niejednorodnie domieszkowany półprzewodnik i pole wbudowane/39
2.10. Podstawowe równania w półprzewodnikach/39
3. PASYWNE ELEMENTY UKŁADÓW SCALONYCH
3.1. Kondensatory/42
3.1.1. Kondensatory MOS/43
3.1.2. Kondensatory złączowe/45
3.2. Rezystory dyfuzyjne/47
3.2.1. Rezystory bazowe/49
3.2.2 Rezystory emiterowe/50
3.2.3. Rezystory ściśnięte/51
3.2.4. Porównanie parametrów rezystorów dyfuzyjnych/52
3.2.5. Inne rodzaje elementów spełniających funkcje rezystorów/53
4. ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
4.1. Teoria przyrządu JFET/57
4.2. Tranzystory polowe z krótkim kanałem SIT/59
4.2.1. Wstrzykiwanie nośników poprzez barierę potencjału/61
4.2.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora SIT/61
4.3. Tranzystory z transportem balistycznym/64
5. TRANZYSTORY MOS
5.1. Struktura MOS/67
5.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe/71
5.3. Parametry małosygnałowe/74
5.4. Efekty drugorzędne/75
5.4.1. Efekt modulacji długości kanału/75
5.4.2. Wpływ polaryzacji podłoża na wartość napięcia progowego/75
5.4.3. Wpływ polaryzacji kanał-podłoże na charakterystyki statyczne/76
5.4.4. Efekt zmian ruchliwości powierzchniowej/76
5.4.5. Podprogowy przepływ prądu/77
5.4.6. Efekt krótkiego kanału/79
5.4.7. Efekt wąskiego kanału/80
5.4.8. Metody skalowania tranzystorów MOS/80
5.4.9. Metody określenia napięcia progowego/81
6. ZŁĄCZA p-n I TRANZYSTORY BIPOLARNE
6.1. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym/85
6.2. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia/89
6.3. Podstawowe zależności w tranzystorze bipolarnym/94
6.3.1. Prądy w złączu emiter-baza/95
6.3.2. Sprawność wstrzykiwania emitera/95
6.3.3. Sprawność transportu nośników przez bazę/96
6.3.4. Efekt modulacji konduktywności bazy/98
6.3.5. Efekt Kirka/98
6.3.6. Efekt Early'ego/98
6.4. Tranzystory z niejednorodną bazą/100
7. MODELE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
7.1. Specyfika komputerowych metod projektowania/102
7.2. Modele tranzystora bipolarnego/l 02
7.3. Modele tranzystora MOS/108
Literatura /111
8. EFEKTY PASOŻYTNICZE W UKŁADACH SCALONYCH
8.1. Pasywne elementy pasożytnicze/H 2
8.1.1. Pojemności złączy/112
8.1.2. Pojemności dyfuzyjne/113
8.1.3. Rezystancje rozproszone/113
8.2. Aktywne elementy pasożytnicze — tranzystory/114
8.2.1. Pasożytnicze tranzystory MOS/114
8.2.2. Pasożytnicze tranzystory JFET/115
8.2.3. Pasożytnicze tranzystory bipolarne/115
8.3. Efekty termiczne i sprzężenia cieplne/117
9. PODUKŁADY BIPOLARNE ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH
9.1. Źródła prądowe/121
9.1.1. Źródła prądowe o stałej wydajności/l 22
9.1.2. Źródła prądowe sterowane/123
9.2. Wzmacniacze różnicowe/128
9.3. Układy przejścia ze stopnia symetrycznego na asymetryczny/131
9.4.Asymetryczne stopnie wzmacniające/132
9.5.Obciążenia aktywne/13
9.6.Układy przesuwania poziomów napięć/134
9.6.1.Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na rezystorze/134
9.6.2.Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na diodach/136
9.6.3.Tranzystorowe układy przesuwania poziomów napięć/137
9.7.Stopnie wyjściowe/138
9.7.1.Układ z diodą kluczującą/139
9.7.2.Układ z przełącznikiem tranzystorowym/139
9.7.3.Układ z przełączaniem na diodach/140
9.7.4.Układ stopnia wyjściowego z diodami kompensacyjnymi/l 40
9.8.Układy zabezpieczające/142
10. WZMACNIACZE OPERACYJNE
10.1. Konstrukcja wzmacniacza operacyjnego/144
10.2. Parametry wzmacniacza operacyjnego/146
10.2.1. Wejściowy prąd polaryzacji/147
10.2.2. Wejściowe napięcie niezrównoważenia/147
10.2.3. Dryft cieplny napięcia niezrównoważenia/148
10.2.4. Rezystancja wejściowa/148
10.2.5. Rezystancja wyjściowa/148
10.2.6. Zakres zmian napięcia wejściowego/148
10.2.7. Wzmocnienie/149
10.2.8. Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego/149
10.2.9. Współczynnik tłumienia wpływu napięcia zasilania/149
10.2.10. Jednostkowa częstotliwość graniczna/149
10.2.11. Szybkość narastania napięcia wyjściowego/149
10.2.12. Czas ustalenia wartości napięcia wyjściowego/150
10.3. Podstawowe konfiguracje układowe wzmacniaczy operacyjnych/150
10.4. Stabilność i kompensacja częstotliwościowa/152
10.4.1. Stabilność wmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym/153
10.4.2. Metody korekcji stabilności wzmacniaczy/l 55
10.5. Wzmacniacze instrumentalne/158
Literatura/159
11. UKŁADY ANALOGOWE SPECJALNEGO PRZEZNACZENIA
11.1. Źródła napięcia referencyjnego/160
11.1.1. Diody referencyjne/160
11.1.2. Układy referencyjne z przerwą energetyczną/162
11.2. Regulatory napięć/164 profi-libris
11.2.1. Regulatory szeregowe/164
11.2.2. Regulatory impulsowe/166
11.3. Precyzyjne prostowniki/169
11.4. Układy mnożące/170
11.4.1. Układ wzmacniacza różnicowego z ogranicznikiem/170
11.4.2. Podwójnie zrównoważony układ mnożący/171
11.4.3. Układ regulacji wzmocnienia/173
11.4.4. Krzyżowy przełącznik torów/174
11.4.5. Multiplekser analogowy/174
11 5 Układy przetworników napięcie — częstotliwość/175
11.6. Układy z pętlą fazową PLL/177
11.7. Układy toru „sample and hold” /178
11.8. Układy wzmacniaczy wielkich częstothwosci/isu
11.9. Komparatory napięć/181
12. ANALOGOWE UKŁADY MOS
12.1. Właściwości tranzystora MOS/l 84
12.1.1. Transkdnduktancja/184
12.1.2. Wzmocnienie/185
12 l 3 Pojemności tranzystora MOS/186
12.1.4. Szumy/187
12.2. Podukłady analogowych układów MOS
12.2.1. Stopnie wzmacniające/187
12.2.2. Źródła prądowe/189
12.2.3. Układy polaryzacji/190
12.2.4. Jkiady napięcia referencyjnego /191
12.2.5. Stopnie wyjściowe/193
12.3. Niektóre rozwiązania analogowych układów MOS/194
12.3.1. Wzmacniacze operacyjne/195
12.3.2. Układy C-przełączane/197
13. PRZETWORNIKI CYFROWO-ANALOGOWE I ANALOGOWO-CYFROWE
13.1. Właściwości informacji cyfrowej /200
13.2. Przetworniki cyfrowo-analogowe/201
13.3. Przetworniki analogowo-cyfrowe/206
13.3.1. Metody czasowe/207
13.3.2. Przetworniki kompensacyjne — szeregowe/208
13.3.3. Przetworniki równoległe — „flash"/210
13.3.4. Przetworniki równoległo-szeregowe/211
13.3.5. Przetworniki propagacyjne/212
14. CYFROWE UKŁADY LOGICZNE
14.1. Rodziny bipolarnych układów logicznych/214
14.1.1. Układy TTL/214'
14.1.2. Układy ECL/218
14.1.3. Układy EFL/219
14.1.4. Układy PL/220
14.1.5. Układy zintegrowane z diodami Schottky'ego/222
14.1.6. Układy 3-d//223
14.2. Układy cyfrowe MOS/226
14.2.1. Tranzystor MOS jako przyrząd obciążający/226
14.2.2. Układy p-MOS/228
14.2.3. Układy n-MOS/228
14.2.4. Układy CMOS/228
14.2.5. Dynamiczne układy logiczne/229
14.3. Porównanie ograniczeń układów MOS i bipolarnych/230
14.3.1. Ograniczenia tranzystorów MOS/230
14.3.2. Ograniczenia tranzystorów bipolarnych/231
15. CYFROWE BLOKI FUNKCJONALNE
15.1. Przerzutniki bistabiIne/235
15.1.1. Przerzutniki typu RS/235
15.1.2. Przerzutniki JK/236
15.1.3. Przerzutniki typu D/239
15.2. Przerzutniki generacyjne/239
15.2.1. Przerzutniki monostabtlne/239
15.2.2. Przerzutniki astabilne - wolnobiegnące/240
15.2.3. Przerzutniki Schmitta/240
15.3. Generatory/240
15.3.1. Generatory pierścieniowe/241
15.3.2. Generator z przerzutnikiem Schmitta/242
15.3.3. Generatory kwarcowe/242
15.4. Multipleksery i demultipleksery/244
15.5. Komparatory cyfrowe/244
15.6. Rejestry/244
15.7. Liczniki/245
15.8. Układy arytmetryczne/245
15.8.1. Sumatory/246
15.8.2. Multiplikatory/246
15.9. Inne rozwiązania układowe/247
15.9.1. Wzmacniacze sygnałów cyfrowych — wzmacniacze odczytu/247
15.9.2. Bramki transmisyjne/249
15.9.3. Układy zabezpieczeń/250
15.9.4. Układy autopoIaryzacji/252
15.9.5. Układy zabezpieczeń w technologii CMOS/253
15.10. Specjalizowane układy cyfrowe/254
15.10.1. Układy „gate array"/254
15.10.2. Układy „standard cells"/255
16. MIKROPROCESORY
16.1. Struktura mikroprocesora/257
16.2. Instrukcje mikroprocesora/260
16.2.1. Instrukcje przesłań/261
16.2.2. Instrukcje arytmetyczne/261
16.2.3. Instrukcje logiczne/262
16.2.4. Instrukcje skoku/262
16.2.5. Instrukcje wejścia i wyjścia/263
16.2.6. Przerwania/263
16.3. Przegląd mikroprocesorów/263
17. PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE
17.1. Pamięci typu RAM/267
17.1.1. Pamięci dynamiczne RAM/268
17.1.2. Statyczne pamięci RAM/269
17.2. Pamięci stałe/271
17.2.1. Pamięci ROM/271
17.2.2. Układy PLA/273
17.2.3. Układy PROM i FPLA/273
17.2.4. Reprogramowalne pamięc
ID: 586897637
Skontaktuj się
bibliofil
Na OLX od luty 2016
Ostatnio online w dniu 16 czerwca 2024
Wszystkie oceny są weryfikowane. Mogą je wystawiać tylko osoby, które kupiły przedmiot z Przesyłką OLX.
xxx xxx xxx
Dodane 19 czerwca 2024
UKŁADY SCALONE Budowa, działanie, technologia - Bogdan Maciej Wilamows
16 zł
O ogłoszeniodawcy
bibliofil
Na OLX od luty 2016
Ostatnio online w dniu 16 czerwca 2024
Wszystkie oceny są weryfikowane. Mogą je wystawiać tylko osoby, które kupiły przedmiot z Przesyłką OLX.
Lokalizacja
