S

3

e

A

SI

8 0 IO II IS 13 I 12 Tе. I 18 18 50

SPIS TREŚCI

57

II

OI

10 IS 13 1 12 10

Wykaz ważniejszych symboli

1.1. Dziury i elektrony w modelu pasmowym

Rozdział 1. Zarys teorii półprzewodnika

13

1.2. Równowaga statystyczna .

1.3.

Pole elektrostatyczne i potencjał

17

27

1.4. Pólprzewodnik niejednorodny

1.5. Ładunek przestrzenny i stan neutralności elektrycznej

1.6. Złącze skokowe p-n

1.7. Złącze p-n o liniowym gradiencie

1.8. Końcowe uwagi odnośnie do materiałów niejednorodnych

1.9. Unoszenie nośników przez pole elektryczne

1.10. Dyfuzja nośników

1.11. Nośniki w silnych polach elektrycznych

Problemy dotyczące rozdziału 1 .

29

32

35

39

41

42

46

47

49

Piśmiennictwo

50

Rozdział 2. Gęstości nośników w stanie nierównowagi

2.1. Wstrzykiwanie nadmiarowych gęstości nośników

52

2.2. Szybkości przejść w stanie równowagi .

55

2.3. Rekombinacja w stanie ustalonym

59

2.4. Rekombinacja w stanie nieustalonym

2.5. Ogólne uwagi dotyczące pojęcia czasu życia

2.6. Szybkość rekombinacji powierzchniowej

2.7. Poziomy quasi-Fermiego

2.8. Czynniki wpływające na czas życia nośników Ioblemy dotyczące rozdziału 2.

Piśmiennictwo

Rozdział 3. Transport nadmiarowych gęstości nośników w ośrodku jednorodnym

65

67

70

72

73

74

76

Przedmowa

3.1. Wstęp

3.2.

Równania ciągłości

77

78

3.3. Równanie ambipolarne

81

3.4. Unoszenie impulsu nadmiarowych nośników

84

3.5. Modulacja przewodności nici

90

3.6. Dyfuzja nadmiarowych nośników w stanie ustalonym

Karton 190